APTM100H80FT1G

厂家：: Microsemi Corporation
封装：: SP1
数量：: 909
说明：: MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1

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中文参数如下：
FET 型4 N 通道（半桥）
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C960 毫欧 @ 9A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)1000V (1kV)
Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3876pF @ 25V
功率 - 最大208W
安装类型底座安装

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