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AGR09130EF

厂家：
  TriQuint Semiconductor
封装：
 9130EF
数量：
 6480  
说明：
 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
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AGR09130EF PDF参数资料

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中文参数如下：

产品类型：RF MOSFET Power
功率耗散：350 W
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
封装形式：9130EF
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：15 V
漏极连续电流：15 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：150 W
增益：18 dB
频率：921 MHz to 960 MHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：TriQuint

以上是AGR09130EF的详细信息，包括AGR09130EF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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