2SK3561(Q,M)

厂家：: Toshiba
封装：: TO-220 NIS
数量：: 8910
说明：: MOSFET MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm

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2SK3561(Q,M) PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：50
上升时间：26 ns
功率耗散：40 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：38 ns
封装形式：TO-220 NIS
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.85 Ohms
漏极连续电流：8 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

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