2SK3562(Q)

厂家：: Toshiba
封装：: TO-220 SIS
数量：: 8919
说明：: MOSFET N-Ch 600V 6A Rdson 1.25 Ohm

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2SK3562(Q) PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：9.5 ns
工厂包装数量：50
上升时间：5 ns
功率耗散：400 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：3 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-220 SIS
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.25 Ohms
漏极连续电流：6 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

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