2SK2606(F)

厂家:
  Toshiba
封装:
 TO-3P(N)IS
数量:
 7497  
说明:
 MOSFET MOSFET N-Ch 800V 8A Rdson 1.2 Ohm
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2SK2606(F) PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:50
上升时间:25 ns
功率耗散:85 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:25 ns
包装形式:Bulk
封装形式:TO-3P(N)IS
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.2 Ohms
漏极连续电流:8 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:800 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是2SK2606(F)的详细信息,包括2SK2606(F)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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