首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > 2SK2611(F,T)

2SK2611(F,T)

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-3
数量：
 3258  
说明：
 MOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson 1.4 Ohm
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
2SK2611(F,T)-TO-3图片

2SK2611(F,T) PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：50
上升时间：25 ns
功率耗散：150 W
下降时间：20 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.4 Ohms
漏极连续电流：9 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：900 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK2611(F,T)的详细信息，包括2SK2611(F,T)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPB240N03S4LR9ATMA1
  • IPD040N08NF2SATMA1
  • FDMC86260ET150
  • SIHA6N65E-E3
  • CSD18531Q5AT
  • IPB043N10NF2SATMA1
  • MCB200N06Y-TP
  • STH150N10F7-2
  • SIR572DP-T1-RE3
  • NVMYS2D9N04CLTWG

    • 相近型号推荐

    • 2SK2614图片

      2SK2614

      MOSFET N-Ch 50V 20A Rdson 0.046 Ohm

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC