点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
典型关闭延迟时间：60 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：25 ns
功率耗散：2 W
下降时间：60 ns
包装形式：Reel
封装形式：MPT3
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.4 Ohms
漏极连续电流：2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor
以上是2SK2103T100的详细信息，包括2SK2103T100厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!
