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2SC3646S-P-TD-E

厂家：: ON Semiconductor
封装：: PCP
数量：: 8037
说明：: 两极晶体管 - BJT

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2SC3646S-P-TD-E PDF参数资料

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中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-243AA
安装类型：表面贴装型
工作温度：-
频率 - 跃迁：120MHz
功率 - 最大值：500 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：140 @ 100mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 40mA，400mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A
晶体管类型：NPN
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：onsemi

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