EMF5XV6T1G

厂家：: onsemi
封装：: SOT-563
数量：: 5715
说明：: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT563

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EMF5XV6T1G PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：表面贴装型
功率 - 最大值：357mW
频率 - 跃迁：-
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA，100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V / 270 @ 10mA，2V
电阻器 - 发射极 (R2)：-
电阻器 - 基极 (R1)：47 千欧
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，12V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，500mA
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
产品状态：在售
包装：EMF
系列：卷带（TR）
品牌：onsemi

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