2SC3356-T1B-R25-A

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
功率 - 最大值：
封装封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 20mA，10V
功率 - 最大值：200mW
增益：11.5dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.1dB @ 1GHz
频率 - 跃迁：7GHz
电压 - 集射极击穿（最大值）：12V
晶体管类型：NPN
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：CEL

以上是2SC3356-T1B-R25-A的详细信息，包括2SC3356-T1B-R25-A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

DTA114YCAT116

DTA143ZCAT116

DTA115ECAT116

RN1105,LF(CT

DTC123YCAT116

DTC143ECAT116

DTC113ZEBTL

DTC123EEBTL

DTA013ZEBTL

NHDTC114EUX