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2SA1145-O(TE6,F,M)

厂家：: Toshiba
封装：: LSTM
数量：: 16332
说明：: 两极晶体管 - BJT Transistor PNP 150V 0.05A

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2SA1145-O(TE6,F,M) PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最大功率耗散：800 mW
直流电流增益 hFE 最大值：240
集电极连续电流：- 50 mA
封装形式：LSTM
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：80
增益带宽产品fT：200 MHz
最大直流电集电极电流：0.05 A
集电极—射极饱和电压：- 150 V
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 150 V
集电极—基极电压 VCBO：- 150 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

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