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2SA1162GRT5LFT

厂家：
  Toshiba
封装：
 S-Mini
数量：
 180  
说明：
 两极晶体管 - BJT Transistor
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2SA1162GRT5LFT PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最大功率耗散：150 mW
直流电流增益 hFE 最大值：400
集电极连续电流：- 150 mA
封装形式：S-Mini
安装风格：SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min：200
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—基极电压 VCBO：- 50 V
晶体管极性：PNP
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

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