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中文参数如下：
工厂包装数量：20
包装形式：Sleeve
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：150000 mW
封装形式：TO-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：15
增益带宽产品fT：4 MHz
最大直流电集电极电流：16 A
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：140 V
集电极—基极电压 VCBO：160 V
晶体管极性：NPN
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor
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