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2N3799

厂家：
  Central Semiconductor
封装：
 
数量：
 6837  
说明：
 两极晶体管 - BJT Low Noise Ampl
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2N3799 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2000
包装形式：Box
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：360 mW
封装形式：TO-18
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：15
增益带宽产品fT：80 MHz
最大直流电集电极电流：0.05 A
集电极—射极饱和电压：60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：过渡期间
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

以上是2N3799的详细信息，包括2N3799厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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