2N3209

厂家：: Central Semiconductor
封装：: TO-18
数量：: 1935
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Hi-Spd Sw

一、本商品被浏览0次.

2N3209 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：2000
包装形式：Box
封装形式：TO-18
安装风格：Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min：25
增益带宽产品fT：400 MHz
集电极—射极饱和电压：20 V
发射极 - 基极电压 VEBO：4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：20 V
集电极—基极电压 VCBO：20 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：过渡期间
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

以上是2N3209的详细信息，包括2N3209厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：