2N3250

厂家：: Central Semiconductor
封装：: TO-18
数量：: 6123
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS

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2N3250 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2000
包装形式：Box
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：360 mW
封装形式：TO-18
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：15
增益带宽产品fT：250 MHz
最大直流电集电极电流：0.2 A
集电极—射极饱和电压：40 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
集电极—基极电压 VCBO：50 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：过渡期间
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

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