| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SD1730 | STMicroelectronics | M174 | 射频双极电源晶体管 NPN 28V 30MHz | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，直流集电极/Base G... | ||||||
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SD1731 | STMicroelectronics | M174 | 射频双极电源晶体管 NPN 50V 30MHz | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，直流集电极/Base G... | ||||||
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SD4100 | STMicroelectronics | M173 | 射频双极电源晶体管 NPN 28V 470-860MHz | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Base，直流集电极/Base Gain... | ||||||
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SD4011 | STMicroelectronics | M122 | 射频双极电源晶体管 NPN 65 Volt 31.8W | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：射频双极电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，直流集电极/Base Gain hfe Min：2... | ||||||
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TP9383 | Advanced Semiconductor, Inc. | M177 | 50 | 射频双极电源晶体管 RF Transistor | |
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：20，最大工作频率：108 MH... | ||||||
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TPV595A | Advanced Semiconductor, Inc. | 5 | 射频双极电源晶体管 RF Transistor | ||
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：10，最大工作频率：860 MH... | ||||||
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TPV596 | Advanced Semiconductor, Inc. | Case 244-04 | 10 | 射频双极电源晶体管 RF Transistor | |
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：15，最大工作频率：860 MH... | ||||||
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TPV8100B | Advanced Semiconductor, Inc. | Case 398-03 | 8 | 射频双极电源晶体管 RF Transistor | |
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：30，最大工作频率：860 MH... | ||||||
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TH430 | Advanced Semiconductor, Inc. | M177 | 32 | 射频双极电源晶体管 RF Transistor | |
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：15，最大工作频率：30 MHz... | ||||||
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EC4H08C-TL-H | ON Semiconductor | 4-ECSP1008 | 射频双极电源晶体管 1.8V DRIVE SERIES | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，最大工作频率：2 GHz，集电极—发射极最大电压 VCEO：3.5 V，发射极 - 基极电压 VEBO：... | ||||||
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EC4H09C-TL-H | ON Semiconductor | 4-ECSP1008 | 射频双极电源晶体管 SWITCHING DEVICE | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，最大工作频率：2 GHz，集电极—发射极最大电压 VCEO：3.5 V，发射极 - 基极电压 VEBO：... | ||||||
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LZ1418E100R,114 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频双极电源晶体管 NPN MICROWAVE POWER TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，工厂包装数量：4，... | ||||||
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MAX2601ESA | Maxim Integrated | 8-SOIC-EP | 射频双极电源晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap | ||
| 参数：制造商：Maxim Integrated，配置：Single Dual Base Dual Collector Quad Emitter，直流集电极/Base ... | ||||||
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MAX2601ESA+ | Maxim Integrated | 8-SOIC-EP | 射频双极电源晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap | ||
| 参数：制造商：Maxim Integrated，RoHS：是，配置：Single Dual Base Dual Collector Quad Emitter，直流集电... | ||||||
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MAX2601ESA+T | Maxim Integrated | 8-SOIC-EP | 射频双极电源晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap | ||
| 参数：制造商：Maxim Integrated，RoHS：是，配置：Single Dual Base Dual Collector Quad Emitter，直流集电... | ||||||
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MAX2601ESA-T | Maxim Integrated | 8-SOIC-EP | 射频双极电源晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap | ||
| 参数：制造商：Maxim Integrated，配置：Single Dual Base Dual Collector Quad Emitter，直流集电极/Base ... | ||||||
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MAX2602E/D | Maxim Integrated | 射频双极电源晶体管 | |||
| 参数：制造商：Maxim Integrated，配置：Single Dual Base Dual Collector Quad Emitter，直流集电极/Base ... | ||||||
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MAX2602ESA | Maxim Integrated | 8-SOIC-EP | 射频双极电源晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap | ||
| 参数：制造商：Maxim Integrated，配置：Single Dual Base Dual Collector Quad Emitter，直流集电极/Base ... | ||||||
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MAX2602ESA+ | Maxim Integrated | 8-SOIC-EP | 射频双极电源晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap | ||
| 参数：制造商：Maxim Integrated，RoHS：是，配置：Single Dual Base Dual Collector Quad Emitter，直流集电... | ||||||
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MAX2602ESA+T | Maxim Integrated | 8-SOIC-EP | 射频双极电源晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap | ||
| 参数：制造商：Maxim Integrated，RoHS：是，配置：Single Dual Base Dual Collector Quad Emitter，直流集电... | ||||||
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