| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF640NLPBF | International Rectifier | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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IRF640NPBF | International Rectifier | TO-220-3 | 84,044 | MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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IRF640NSPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 30V 1 N-CH 150mOhm HEXFET 200V VDSS | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF640NSTRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 51,353 | MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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IRF640NSTRRPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF640PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 2,248 | MOSFET N-Chan 200V 18 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF640S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 200V 18 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF640SPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | 2,416 | MOSFET N-Chan 200V 18 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF640ST4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF640STRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 18 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF640STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 800 | MOSFET N-Chan 200V 18 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF640STRR | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 18 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF640STRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 823 | MOSFET N-Chan 200V 18 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF644 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF644B_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-220 | MOSFET 250V Single | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸... | ||||||
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IRF644FP | STMicroelectronics | TO-220 | MOSFET N-Ch 250 Volt 14 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电... | ||||||
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IRF644LPBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 250V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF644N | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF644NL | Vishay/Siliconix | TO-262 | MOSFET N-Chan 250V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF644NLPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 250V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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