中文参数如下:
工厂包装数量:1000
功率耗散:125 W
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :6.7 S
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.28 Ohms
漏极连续电流:14 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:250 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是IRF644FP的详细信息,包括IRF644FP厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!