| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF530 | Vishay/Siliconix | TO-220 | MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF530_R4941 | Fairchild Semiconductor | MOSFET USE 512-IRF530A | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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IRF5305 | International Rectifier | TO-220AB | MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -31A, 60 mOhm, 42 nC Qg, TO-220AB | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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IRF5305LPBF | International Rectifier | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF5305PBF | International Rectifier | TO-220-3 | 26,703 | MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF5305SPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 60mOhms 42nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF5305STRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 356 | MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF5305STRRPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF530A | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | MOSFET TO-220 N-Ch A-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏... | ||||||
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IRF530N_R4942 | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | MOSFET TO-220AB N-Ch Power | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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IRF530NPBF | International Rectifier | TO-220-3 | 16,075 | MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF530NSPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF530NSTRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 15,283 | MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF530NSTRRPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF530PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 12,946 | MOSFET N-Chan 100V 14 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF530S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 100V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF530SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 100V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF530STRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 100V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF530STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 6,461 | MOSFET N-Chan 100V 14 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF530STRR | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 100V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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