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IRF530STRR

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 1971
说明：: MOSFET N-Chan 100V 14 Amp

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IRF530STRR-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

IRF530STRR PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：23 ns
工厂包装数量：800
上升时间：34 ns
功率耗散：3.7 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：24 ns
包装形式：Reel
封装形式：SMD-220
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.16 Ohms
漏极连续电流：14 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRF530STRR的详细信息，包括IRF530STRR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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