| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF510L | Vishay/Siliconix | TO-262-3 | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF510PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 60,541 | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF510S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF510SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 34,392 | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF510STRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF510STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 500 | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF510STRR | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF510STRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,618 | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF520 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF520_R4941 | Fairchild Semiconductor | MOSFET TO-220AB N-Ch Power | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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IRF520A | Fairchild Semiconductor | TO-220AB | MOSFET 9.2A 100V .4 OHM | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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IRF520NPBF | International Rectifier | TO-220-3 | 8,407 | MOSFET MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF520NSTRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 3,290 | MOSFET MOSFT 100V 9.5A 200mOhm 16.7nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF520PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 3,320 | MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF520S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF5210LPBF | International Rectifier | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：20 ... | ||||||
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IRF5210PBF | International Rectifier | TO-220-3 | 23,662 | MOSFET MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：20 ... | ||||||
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IRF5210SPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：20 ... | ||||||
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IRF5210STRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 993 | MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：20 ... | ||||||
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IRF5210STRRPBF | International Rectifier | D2PAK | 5 | MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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