IRF5210STRRPBF

厂家：: International Rectifier
封装：: D2PAK
数量：: 8771
说明：: MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC

一、本商品被浏览0次.

IRF5210STRRPBF PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：72 ns
工厂包装数量：800
上升时间：86 ns
功率耗散：3.8 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：180 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：10 S
下降时间：81 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：60 mOhms
漏极连续电流：- 40 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 100 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF5210STRRPBF的详细信息，包括IRF5210STRRPBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：