| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SOT428.JPG)
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PHD78NQ03LT,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PHD66NQ03LT,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：66 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PHD71NQ03LT,118 | NXP Semiconductors | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PHD55N03LTA,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：55 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：14 mOhms，配置：S... | ||||||
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PHD63NQ03LT,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：68.9 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PHD38N02LT,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：44.7 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PHD45N03LTA,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：21 mOhms，配置：S... | ||||||
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PHD36N03LT,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：43.4 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PHD37N06LT,118 | NXP Semiconductors | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：37 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：32 mOhms，配置：S... | ||||||
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PHD34NQ10T,118 | NXP Semiconductors | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：35 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PHK04P02T /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 16 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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PHK04P02T,518 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 16 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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PHK12NQ03LT T/3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHK12NQ03LT,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHK12NQ10T /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHK12NQ10T,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET TAPE13 TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHK13N03LT /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHK13N03LT,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHK18NQ03LT,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET MOSFET N-CH 30V 20.3A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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PHK24NQ04LT /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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