| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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MLD1N06CLT4 | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 62V 1A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：59 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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MLD1N06CLT4G | ON Semiconductor | DPAK | MOSFET 62V 1A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：59 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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MLD2N06CLT4 | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 10V 4.4A | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：58 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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MLD2N06CLT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 10V 4.4A | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：58 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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MCP87018T-U/MF | Microchip Technology | 8-PowerTDFN | MOSFET N-channel 1.8mohm MOSFET | ||
| 参数：制造商：Microchip，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）... | ||||||
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MCP87030T-U/MF | Microchip Technology | 8-PowerTDFN | MOSFET N-channel 3.0mohm MOSFET | ||
| 参数：制造商：Microchip，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）... | ||||||
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MCP87090T-U/LC | Microchip Technology | 8-PowerTDFN | 2,321 | MOSFET N-channel 9.0mohm MOSFET | |
| 参数：制造商：Microchip，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：48 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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MCP87090T-U/MF | Microchip Technology | 8-PowerTDFN | 1,340 | MOSFET N-channel 9.0mohm MOSFET | |
| 参数：制造商：Microchip，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：64 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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MCP87130T-U/LC | Microchip Technology | 8-PowerTDFN | MOSFET N-channel 13.0mohm MOSFET | ||
| 参数：制造商：Microchip，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：42 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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MCP87130T-U/MF | Microchip Technology | 8-PowerTDFN | MOSFET N-channel 13.0mohm MOSFET | ||
| 参数：制造商：Microchip，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：54 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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MMBT2222ALP4-7B | Diodes Inc. | X2-DFN1006-3 | 761,808 | MOSFET General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10K | |
| 参数：Diodes Incorporated|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|Automotive, AEC-Q101|在售|NPN|... | ||||||
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MMBD5004C-7 | Diodes Inc. | SOT-23-3 | MOSFET HiVolt Switching Dio 100V SOT23 T&R 3K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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MMBD5004A-7 | Diodes Inc. | SOT-23-3 | MOSFET HiVolt Switching Dio 100V SOT23 T&R 3K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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MMBF170 | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-Ch Enhance | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/... | ||||||
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MMBF170_D87Z | Fairchild Semiconductor | SOT-23 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/... | ||||||
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MMBF170_Q | Fairchild Semiconductor | SOT-23 | MOSFET N-Ch Enhance | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/... | ||||||
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MMBF170-7 | Diodes Inc. | SOT-23-3 | MOSFET 60V 225mW | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50... | ||||||
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MMBF170-7-F | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 60V 225mW | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：70 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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MMBF170LT1 | ON Semiconductor | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 20V 500mA N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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MMBF170LT1G | ON Semiconductor | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 60V 500mA N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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