| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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NVTFS5826NLTAG | ON Semiconductor | WDFN-8 | 2035 | MOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：20... | ||||||
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NVTFS5826NLTWG | ON Semiconductor | WDFN-8 | MOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：20... | ||||||
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NVTJD4001NT1G | ON Semiconductor | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 527,613 | MOSFET NFET 30V 250MA 1.5OH | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，包装形式：Reel，... | ||||||
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NVTJD4001NT2G | ON Semiconductor | SC-88/SC70-6/SOT-363 | MOSFET NFET 30V 250MA 1.5OH | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，包装形式：Reel，... | ||||||
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NVTJD4105CT1G | ON Semiconductor | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET COMP 20V 0.63A 22MOH | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，包装形式：Reel，... | ||||||
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NVTP2955G | ON Semiconductor | - | MOSFET POWER MOSFET 60V 12A 196 | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，漏极连续电流：- 12 A，电阻汲极/... | ||||||
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NVTR01P02LT1G | ON Semiconductor | SOT-23-3（TO-236） | 37 | MOSFET PFET 20V 0.160R TR | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，包装形式：Reel，... | ||||||
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NVTR0202PLT1G | ON Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 17,714 | MOSFET PFET 20V 0.4A 80MOH | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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NVTR4503NT1G | ON Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 8,330 | MOSFET NFET SOT23 30V 2A 0.110R | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，包装形式：Reel，... | ||||||
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NX1029X,115 | NXP Semiconductors | SOT-666 | MOSFET 60/50V, 330/170 mA N/P-ch Trench MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V, - 50 V，电阻汲极/源极 RDS（导通）：1 ... | ||||||
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NX2301P,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 67,397 | MOSFET P-CH -20 V -2 A | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 2 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：120... | ||||||
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NX3008CBKS,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP | 27,608 | MOSFET 30/30V, 350/200 MA N/P-CH TRENCH MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... | ||||||
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NX3008CBKV,115 | NXP Semiconductors | SOT-666 | 60,965 | MOSFET 30/30V, 400/220 MA N/P-CH TRENCH MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, - 30 V，电阻汲极/源极 RDS（导通）：1 Oh... | ||||||
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NX3008NBK,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 220,391 | MOSFET 30V 400 MA N-CH TRENCH MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：0.4 A，电阻汲极/... | ||||||
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NX3008NBKMB,315 | NXP Semiconductors | 3-XFDFN | MOSFET N-Chan 30V 530mA | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：530 mA，电阻汲极... | ||||||
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NX3008NBKS,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP | 977,514 | MOSFET 30V 350 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：350 mA，电阻汲极... | ||||||
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NX3008NBKT,115 | NXP Semiconductors | SC-75 | MOSFET 30V 350 MA N-CH TRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... | ||||||
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NX3008NBKV,115 | NXP Semiconductors | SOT-666 | MOSFET 30V 400 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：400 mA，电阻汲极... | ||||||
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NX3008NBKW,115 | NXP Semiconductors | SC-70，SOT-323 | MOSFET 30V 350 MA N-CH TRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电流：350 mA，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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NX3008PBK,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 34,097 | MOSFET 30V 230 MA P-CH TRENCH MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... | ||||||
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