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NVTP2955G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 -
数量：
 495  
说明：
 MOSFET POWER MOSFET 60V 12A 196
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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：47 ns
上升时间：80 ns
功率耗散：62.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：14 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：6 S
下降时间：85 ns
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：156 mOhms
漏极连续电流：- 12 A
汲极/源极击穿电压：- 60 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
制造商：ON Semiconductor

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