| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
|---|
|
BG 5412K E6327 |
Infineon Technologies
|
SOT-363 |
|
射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Ch MOSFET Tetrode |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Gate，晶体管极性：N-Channel，汲极/源... |
|
BG 3123R E6327 |
Infineon Technologies
|
SOT-363 |
|
射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET小信号晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/... |
|
BG 3130 E6327 |
Infineon Technologies
|
SOT-363 |
|
射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET小信号晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/... |
|
|
BG 3130R E6327 |
Infineon Technologies
|
SOT-363 |
|
射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET小信号晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/... |
|
|
BG 3123 E6327 |
Infineon Technologies
|
SOT-363 |
|
射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET小信号晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/... |
