| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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NE34018-T1-64-A | NEC/CEL | SOT-343 | 射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp | ||
| 参数：CEL|卷带（TR）|-|停产|GaAs HJ-FET|-|2GHz|16dB|2 V|120mA|0.6dB|5 mA|12dBm|4 V|表面贴装型|SC-... | ||||||
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NE34018-T1-A | NEC/CEL | SOT-343 | 射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp | ||
| 参数：CEL|卷带（TR）,剪切带（CT）|-|停产|GaAs HJ-FET|-|2GHz|16dB|2 V|120mA|0.6dB|5 mA|12dBm|4 V|表... | ||||||
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NE350184C | CEL | 84C | 射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET | ||
| 参数：CEL|散装|-|停产|GaAs HJ-FET|-|20GHz|13.5dB|2 V|70mA|0.7dB|10 mA|-|4 V|-|微型-X 陶瓷 84C|... | ||||||
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NE350184C-A | NEC/CEL | Micro-X Ceramic (84 C) | 射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET | ||
| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：20 GHz，增益：13.5 dB，噪声系数：0.7 dB，正向跨导 gF... | ||||||
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NE350184C-T1 | CEL | Micro-X Ceramic (84 C) | 射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET | ||
| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：20 GHz，增益：13.5 dB，噪声系数：0.7 dB，正向跨导 gF... | ||||||
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NE350184C-T1A | CEL | Micro-X Ceramic (84 C) | 射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET | ||
| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：20 GHz，增益：13.5 dB，噪声系数：0.7 dB，正向跨导 gF... | ||||||
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NE3503M04-A | CEL | M04 | 射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET | ||
| 参数：CEL|散装|-|Digi-Key 停止提供|GaAs HJ-FET|-|12GHz|12dB|2 V|70mA|0.45dB|10 mA|-|4 V|-|SO... | ||||||
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NE3503M04-T2-A | CEL | M04 | 射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET | ||
| 参数：CEL|卷带（TR）|-|停产|GaAs HJ-FET|-|12GHz|12dB|2 V|70mA|0.45dB|10 mA|-|4 V|-|SOT-343F|... | ||||||
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NE3508M04-A | CEL | F4TSMM，M04 | 射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET | ||
| 参数：CEL|散装|-|停产|GaAs HJ-FET|-|2GHz|14dB|2 V|120mA|0.45dB|10 mA|18dBm|4 V|-|SOT-343F|... | ||||||
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NE3508M04-EVNF23 | CEL | FTSMM-4 (M04) | 射频GaAs晶体管 SPR LW Noise Pseudo HJ FET EVAL Fixt | ||
| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：2 GHz，增益：14 dB，噪声系数：0.45 dB，正向跨导 gFS（... | ||||||
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NE71300 | CEL | CHIP | 射频GaAs晶体管 Ku-K Band MESFET OBSOLETE BY MFG | ||
| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：12 GHz，增益：9.5 dB，噪声系数：1.6 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：50... | ||||||
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FH1-G | TriQuint Semiconductor | SOT-89 | 424 | 射频GaAs晶体管 50-4000MHz +21dBm P1dB | |
| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：MESFET，频率：50 MHz to 4 GHz，增益：18 dB，噪声系数：... | ||||||
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CFH800 | TriQuint Semiconductor | SC70 | 164 | 射频GaAs晶体管 GaAs LN Transistor | |
| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：1.8 GHz，增益：17 dB，噪声系数：0.5 dB，正向... | ||||||
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CFH400 | TriQuint Semiconductor | SOT343 | 射频GaAs晶体管 GaAs LN Transistor | ||
| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：1.8 GHz，增益：15 dB，噪声系数：0.55 dB，正... | ||||||
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CFY 25-20 (P) | Infineon Technologies | Micro-X | 射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：12 GHz，增益：9 dB，噪声系数：1.9 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ... | ||||||
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CFY 25-20P (H) | Infineon Technologies | Micro-X | 射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：12 GHz，增益：9 dB，噪声系数：1.9 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ... | ||||||
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CFY 25-20P (P) | Infineon Technologies | Micro-X | 射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：12 GHz，增益：9 dB，噪声系数：1.9 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ... | ||||||
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CFY25-20 (S) | Infineon Technologies | Micro-X | 射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：12 GHz，增益：9 dB，噪声系数：1.9 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ... | ||||||
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CFY25-23 (P) | Infineon Technologies | Micro-X | 射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：12 GHz，增益：8.7 dB，噪声系数：2.2 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值... | ||||||
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CFY67-08 (P) | Infineon Technologies | Micro-X | 射频GaAs晶体管 | ||
| 参数：制造商：Infineon，技术类型：pHEMT，频率：12 GHz，增益：11.5 dB，噪声系数：0.7 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：65 m... | ||||||
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