| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FGPF70N30TDTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 300V 70A PDP | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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FGPF70N30TRDTU | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 N-CH 70V 300V PDP IGBT | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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FGPF70N30TTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 300V 70A PDP | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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FGPF70N33BTTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 N-Ch/ 70A 330V PDP | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：330 ... | ||||||
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FGPF7N60LSDTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 IGBT 600V 7A Low Sat CO-PAK | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGPF7N60RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 600V 7A RUF IGBT CO-PAK | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGPF90N30 | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 300V 90A PDP IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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FGP30N6S2 | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | IGBT 晶体管 Sgl 600V N-Ch | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGP30N6S2D | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | IGBT 晶体管 Comp 600V N-Ch | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGP40N6S2 | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | IGBT 晶体管 Sgl 600V N-Ch | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGP10N60UNDF | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | 815 | IGBT 晶体管 600V 10A NPT IGBT | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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FGP15N60UNDF | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | IGBT 晶体管 600V 15A NPT IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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FGP20N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | IGBT 晶体管 600V, 20A Field Stop | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGP20N6S2 | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | IGBT 晶体管 Sgl N-Ch 600V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGP20N6S2D | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | IGBT 晶体管 Comp N-CH 600V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FFD08S60S_F085 | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 IGBT FOR HID APP | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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FID35-06C | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 35 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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FID36-06D | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 36 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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FID60-06D | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 60 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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FII24N17AH1 | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 150... | ||||||
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