FGP10N60UNDF

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220-3
数量：: 6251
说明：: IGBT 晶体管 600V 10A NPT IGBT

一、本商品被浏览0次.

FGP10N60UNDF PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：139 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 10 uA
在25 C的连续集电极电流：20 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：2.3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FGP10N60UNDF的详细信息，包括FGP10N60UNDF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：