| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SGB20N60 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 20A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SGB30N60 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SGB8206ANSL3G | ON Semiconductor | IGBT 晶体管 IGBT 20A, 350V, N-CH | |||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，... | ||||||
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SGB8206ANT4G | ON Semiconductor | IGBT 晶体管 IGBT 20A, 350V, N-CH | |||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，包装形式：Reel，... | ||||||
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SGB8206ANTF4G | ON Semiconductor | IGBT 晶体管 IGBT 20A, 350V, N-CH | |||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，包装形式：Reel，... | ||||||
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SGD02N120 | Infineon Technologies | TO-252-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGD02N60 | Infineon Technologies | TO-252-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SGD04N60 | Infineon Technologies | TO-252-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SGD06N60 | Infineon Technologies | TO-252-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 6A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SGF15N60RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PF-3 | IGBT 晶体管 600V/15A/w/FRD | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGF15N90DTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PF-3 | IGBT 晶体管 900V/15A/w/FRD | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：900 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGF23N60UFDM1TU | Fairchild Semiconductor | TO-3PF | IGBT 晶体管 600V/12A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：5... | ||||||
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SGF23N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PF | IGBT 晶体管 600V/12A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGF23N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PF | IGBT 晶体管 600V/12A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGF40N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PF | IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGF5N150UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PF | IGBT 晶体管 1500V / 5A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1500... | ||||||
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SGF80N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PF | IGBT 晶体管 Discrete Hi-P IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGH10N120RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
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SGH10N120RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
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SGH10N60RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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