Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI1058X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 1.3A 0.236W 91mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1065X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET 12V 1.18A 0.236W 130 mohms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1065X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 12V 1.18A 0.236W 130 mohms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1067X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET 20V 1.06A 0.0236W 150 mohms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1067X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 1.06A 0.0236W 150 mohms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1069X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 0.94A 0.236W 184 mohms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1069X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 0.94A 0.236W 184 mohms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1070X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET 30V 1.2A 236mW 99mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1070X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-563，SOT-666 | 2,884 | MOSFET 30V 1.2A 0.236W 99mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1071X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET 30V 0.96A 0.236W 167 mohms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1071X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 30V 0.96A 0.236W 167 mohms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1072X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET 30V 1.3A 236mW 93mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1072X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 30V 1.3A 0.236W 93mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1073X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 30V 0.98A 0.236W 173 mohms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1073X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 30V 0.98A 0.236W 173 mohms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1029X-T1 | Vishay/Siliconix | SC-89-6 | MOSFET 60V 0.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 60 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI1029X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 60V 0.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 60 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI1029X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 1.25/5.0ohms@10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 60 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI1026X-T1 | Vishay/Siliconix | SC-89-6 | MOSFET 60V 0.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1026X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 60V 0.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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