SI1071X-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SC-89（SOT-563F）
数量：: 297
说明：: MOSFET 30V 0.96A 0.236W 167 mohms @ 10V

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SI1071X-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI1071X-GE3
典型关闭延迟时间：18 ns, 36 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：12 ns, 25 ns
功率耗散：236 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：12 ns, 25 ns
包装形式：Reel
封装形式：SC-89-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.244 Ohms
漏极连续电流：0.2 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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