Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4427BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 13.3A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4427BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 12.6A 2.5W 12.5mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4427DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13.3A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：9.4 A，电... | ||||||
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SI4427DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13.3A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4427DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13.3A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：9.4 A，电... | ||||||
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SI4427DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13.3A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4429EDY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：13 A，电阻... | ||||||
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SI4429EDY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：13 A，电阻... | ||||||
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SI4429EDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30 Volt 13 Amp 3.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4304DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 36A 7.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4304DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 36A 7.8W 3.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4310BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 14-SOIC | MOSFET 30V 10/14A 1.14/1.47 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4276DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30 Volts 8 Amps 2.8 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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Si4286DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40 Volts 7 Amps 2.9 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI4288DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40 Volts 9.2 Amps 3.1 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI4300DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6.4 A，电... | ||||||
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SI4300DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6.4 A，电... | ||||||
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SI4300DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30 Volt 9.0 Amp 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4320DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 25A 1.6W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4320DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 25A 3.5W 3.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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