SI4304DY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOIC-8 Narrow
数量：: 2682
说明：: MOSFET 30V 36A 7.8W 3.2mohm @ 10V

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SI4304DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4304DY-GE3
工厂包装数量：2500
功率耗散：3.5 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0032 Ohms
漏极连续电流：24 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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