Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI3948DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 2.5A DUAL N-CH TRENCH | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3948DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 2.5A 1.15W 105mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3951DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET DUAL P-CH 20V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI3951DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 2.7A 2.0W 115mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI3973DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 2.7A 0.83W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3973DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3981DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3981DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 1.9A 1.08W 185mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3983DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) SYMETRICAL | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3983DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 2.5A 1.15W 110mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3993DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET DUAL P-CH 30V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3993DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 2.2A 1.15W 133mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3865BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 8V 2.9A 0.06Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，漏极连续电流：2.3 A，电... | ||||||
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SI3865BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 8.0V 2.9A 0.83W 60mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，漏极连续电流：2.3 A，电... | ||||||
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SI3865CDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 1.8-12V 2.8A 1.5-8V Logic Level | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，漏极连续电流：2.8 A，电... | ||||||
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SI3865CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 12V 2.8A 0.83W 60mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，漏极连续电流：2.8 A，电... | ||||||
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SI4090DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 100V 10mOhm@10V 19.7A N-Ch MV T-FET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：19.7 A，电阻汲极... | ||||||
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SI4100DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 7,476 | MOSFET 100V 6.8A 6.0W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4100DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 775 | MOSFET 100V 6.8A 6.0W 63mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4102DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 100V 3.8A 4.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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