SI4090DY-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 8-SOIC
数量:
 4770  
说明:
 MOSFET 100V 10mOhm@10V 19.7A N-Ch MV T-FET
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SI4090DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI4090DY-GE3
功率耗散:7.8 W
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):10 mOhms at 10 V
漏极连续电流:19.7 A
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4090DY-T1-GE3的详细信息,包括SI4090DY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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