Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI3499DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏... | ||||||
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SI3499DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
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SI3499DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 4,312 | MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
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SI3529DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 40V 2.25/1.76A 1.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI3529DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 40V 2.2/2.3A 1.4W 125/215mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI3552DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 2.5/1.8A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 30 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI3552DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 2.5/1.8A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 30 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI3552DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | 1,125 | MOSFET 30V 2.5/1.8A 1.15W 105/200mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 30 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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Si3585CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | 262 | MOSFET 20 Volts 3.9 Amps 1.4 Watts | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：1... | ||||||
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SI3585DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 2.4/1.8A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI3585DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 2.4/1.8A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI3585DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 2.4/1.8A 1.15W 125/200mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI3586DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET N&P-CH 20V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI3586DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 3.4/2.5A 1.15W 60/110mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI3588DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 3.0/2.2A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI3588DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 3.0/2.2A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI3588DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 3.0/2.2A 1.15W 128/300mohm @ 1.8V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI3590DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | 26,958 | MOSFET N&P-CH 30V (D-S) | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 30 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI3590DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | 2,228 | MOSFET 30V 3.0/2.0A 1.15W 77/170mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 30 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI3465DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 4.0A 2.0W 80 mohms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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