Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4486EY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 100V 7.9A 3.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4486EY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 100V 7.9A 3.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4486EY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 100V 7.9A 3.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4486EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 100V 7.9A 3.8W 25mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4488DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 150V 5A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3.5 A，... | ||||||
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SI4488DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 150V 5A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4488DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 150V 5A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3.5 A，... | ||||||
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SI4488DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 150V 5A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4488DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 4,330 | MOSFET 150V 5.0A 3.1W 50mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4490DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 200V 4A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4490DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 200V 4A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4490DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 200V 4A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4490DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2,141 | MOSFET 200V 4A 3.1W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4490DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 200V 4.0A 3.1W 80mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4493DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 20V 14A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4493DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 20V 14A 3.0W 7.75mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4496DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 7.7A 1.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4496DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 7.7A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4497DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET -30V 3.3mOhm@10V 36A P-Ch G-III | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 36 ... | ||||||
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SI4500BDY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 9.1/5.3A 1.3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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