SI4488DY

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SO-8
数量:
 4014  
说明:
 MOSFET 150V 5A 3.1W
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SI4488DY PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:22 ns
商标名:TrenchFET
工厂包装数量:100
上升时间:7 ns
功率耗散:1.56 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:7 ns
包装形式:Tube
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):50 mOhms
漏极连续电流:3.5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:150 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Vishay

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