Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI6441DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 8.0A 1.08W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6441DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 8.0A 1.75W 15mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6443DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 30V 8.8A 1.05W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6443DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 30V 8.8A 1.5W 12mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6447DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 3.2A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SI6459BDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 60V 2.6A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6459BDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 60V 2.7A 1.5W 115mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6459DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | 9 | MOSFET 60V 2.6A 1.5W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6459DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 60V 2.6A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6463ADQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 7.4A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6463ADQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 7.4A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6463BDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 7.5A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6463BDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 7.4A 1.5W 15mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：6.5 A，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极... | ||||||
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SI6463DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 7.5A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：6.5 A，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏... | ||||||
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SI6463DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 7.5A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：6.5 A，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏... | ||||||
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SI6465DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 8V 8.8A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI6465DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 8V 8.8A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI6465DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 8.0V 8.8A 1.5W 12mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI6466ADQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 8.1A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6466ADQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 20V 8.1A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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