SI6441DQ-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TSSOP-8
数量：: 8550
说明：: MOSFET 30V 8.0A 1.08W

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SI6441DQ-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI6441DQ-E3
典型关闭延迟时间：95 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：13 ns
功率耗散：1.08 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：13 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSSOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：15 mOhms
漏极连续电流：6.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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