Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIS452DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 12V 35A N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，漏极连续电流：35 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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SIS454DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 10,539 | MOSFET 20V 35A N-CH MOSFET | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：35 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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SIS456DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：35 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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SIS468DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 80V 19.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：3 V，漏极连续电流：... | ||||||
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SIS472DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 19,925 | MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIS476DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 32,900 | MOSFET 30V 2.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：2.3 V，漏极连续电... | ||||||
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SIS478DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 12A N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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SiS778DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SiS780DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 1 | MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SiS782DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30 Volts 16 Amps 41 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIS890DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 2,484 | MOSFET 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：3 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIS892ADN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：28 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SIS892DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIS902DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 75V 4.0A 15.4W 186mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SISA04DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+ 20 V, - 1... | ||||||
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SISA10DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 5,820 | MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：2.2 V，漏极连续电... | ||||||
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SISA12DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 30V 25A 28W 4.3mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：2.2 V，漏极连续电... | ||||||
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SISA18DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 38.3A 19.8W 7.5mohm @ 10V G4 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：2.4 V，漏极连续电... | ||||||
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SIM400-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-923 | MOSFET 60V 0.35A 1.9W 3.9ohms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：0.35 A，电阻汲极/... | ||||||
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SIZ300DT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-PowerPair? | 35 | MOSFET 30V 11A/28A 16.7/31W 24mohm/11mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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