SIM400-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOT-923
数量：: 6705
说明：: MOSFET 60V 0.35A 1.9W 3.9ohms @ 10V

一、本商品被浏览0次.

SIM400-T1-GE3 PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：SIM400-GE3
典型关闭延迟时间：8.5 ns
上升时间：10 ns
功率耗散：1.9 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：1.1 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：0.15 S
下降时间：8.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-923
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：8 Ohms
漏极连续电流：0.35 A
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIM400-T1-GE3的详细信息，包括SIM400-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：