Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIR770DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：8 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.01... | ||||||
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SiR774DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | - | MOSFET 30 Volts 40 Amps 62.5 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIR788DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 60A 48W 3.4mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：2.5 V，漏极连续电... | ||||||
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SiR798DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30 Volts 60 Amps 83 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIR800DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 50A N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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SIR802DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIR804DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 7.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：60 A，电... | ||||||
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SIR808DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIR812DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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SiR818DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30 Volts 50 Amps 69 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIR826ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 5.5mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIR826DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 17,846 | MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR836DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40 Volts 21 Amps 15.6 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIR838DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 150V 35A 96W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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SIR840DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CHANNEL 30-V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SIR840DP-GE3，... | ||||||
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SIR844DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 50A 50W 2.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR846ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 7.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SIR846DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIR850DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 30A 41.7W 7.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR864DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 v，漏极连续电流：40 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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