SIR802DP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 3141
说明：: MOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts

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SIR802DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIR802DP-GE3
功率耗散：27.7 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.005 Ohms at 10 V
漏极连续电流：30 A
闸/源击穿电压：12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIR802DP-T1-GE3的详细信息，包括SIR802DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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