Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIR438DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 261 | MOSFET 25V 60A 83W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR440DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 9,803 | MOSFET 20V 60A 104W 1.55mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR460DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 185 | MOSFET 30V 40A 48W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR462DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 11,970 | MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR464DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR466DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 1,500 | MOSFET 30V 40A 54W 3.5mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR468DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 50W 5.7mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR470DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 2,042 | MOSFET 40V 60A 104W 2.3mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR472DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 20A 29.8W 12mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR474DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 618 | MOSFET 30V 20A 29.8W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR476DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 60A 104W 1.7mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR482DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：35 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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SIR484DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 20A 29.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR492DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 12V 40A 36W 3.8mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIR494DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 11 | MOSFET 12V 60A 104W 1.2mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR496DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 35A 27.7W 4.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR640DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 1.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：60 A，电阻... | ||||||
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SIR642DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 60A 83W 2.4mohms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIR662DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.7... | ||||||
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SIR698DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 11,257 | MOSFET 100V 7.5A 23W 195mOhm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：7.5 A，电阻汲极/... | ||||||
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