Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI7476DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 25A 5.4W 5.3mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7478DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 4,335 | MOSFET 60V 20A 5.4W 7.5mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7478DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 2,700 | MOSFET 60V 20A 5.4W 7.5mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7483ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 24A 5.4W 5.7mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7483ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 24A 5.4W 5.7mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7485DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 20V 20A 5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7485DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 20A 5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7485DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 20A 5.0W 7.3mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7489DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 28A 83W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7489DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 28A 83W 41mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7491DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7491DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7495DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 12V 21A 1.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7495DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 12V 21A 1.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7495DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 12V 21A 5.0W 6.5mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7501DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET COMPLEMENTARY 30-V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI7501DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET N/P-Ch MOSFET 30V 51/35mohoms @10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI7530DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 60V 4.6/5.0A 1.4/1.5 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI7530DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 60V 4.6/5.0A 75/64mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI7540DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 12V 11.8/8.9A 1.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8... | ||||||
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