SI7530DP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK SO-8
数量：: 261
说明：: MOSFET 60V 4.6/5.0A 75/64mohm @ 10V

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SI7530DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI7530DP-GE3
典型关闭延迟时间：15 ns at N Channel, 65 ns at P Channel
工厂包装数量：3000
功率耗散：3.3 W, 3.5 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：75 mOhms, 64 mOhms
漏极连续电流：4.6 A, 5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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